超导电现象与超导体(2)

　　另一方面，自1987年4月开始，超导研究的重心转向超导机制的理论探索和应用技术的开发．在应用方面主要解决临界电流偏低，材料脆等问题．1990年4月，北京有色金属研究总院成功制成了在2T强磁场下，临界电流密度达2.38×10⁴A/cm²；7月上海冶金所采用熔融结构法研制成功钇钡铜氧块状超导材料，在77K、2.5T磁场下，电流密度超过4×10⁴A/cm²．在世界处于领先地位；美国贝尔实验室采用快中子辐照氧化钇钡铜单晶体，使临界电流密度提高了100倍，达6×10⁵A/cm²．美国马萨诺萨理工学院用在超导材料中掺入银等加热处理的方法，解决了材料脆的问题，使强度比超导陶瓷提高10倍，适于用作输电线．我国则早已制成零电阻温度为83.7K的超导线材和零电阻温度为77K的超导薄膜．1989年日本研制出第一台以SIS结为元件的电子计算机，运算速度达每秒10亿次，功耗6.2mW，仅为常规电子计算机功耗的千分之一．可以预见，在不远的将来，随着超导技术的广泛应用必将给其他领域的科学、技术以及人们的生产、生活带来巨大的变化．